中科院：计算光刻技术取得重大进展-金沙1005

 
中科院：计算光刻技术取得重大进展
来源:快科技 | 作者:上市资管网 | 发布时间: 2021-06-11 | 223 次浏览 | 分享到:
近日，中科院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室提出一种基于虚拟边（virtual edge）与双采样率像素化掩模图形（mask pixelation with two-phase sampling）的快速光学邻近效应修正技术（optical proximity correction, opc）。仿真结果表明，该技术具有较高的修正效率。

中国科学院金沙1005官网刊文称，上海光机所在计算光刻技术研究方面取得重要进展。

 

近日，中科院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室提出一种基于虚拟边（virtual edge）与双采样率像素化掩模图形（mask pixelation with two-phase sampling）的快速光学邻近效应修正技术（optical proximity correction, opc）。仿真结果表明，该技术具有较高的修正效率。

 

opc技术通过调整掩模图形的透过率分布修正光学邻近效应，从而提高成像质量。基于模型的opc技术是实现90nm及以下技术节点集成电路制造的关键计算光刻技术之一。
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